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Silizium-Halbleitertechnologie
Vieweg+Teubner Verlag
Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann (auth.)
silizium
bild
urn
verfahren
oxidation
technik
transistoren
bzw
oxid
wahrend
substrat
aluminium
prozess
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schaltungen
wafer
dotierung
diffusion
herstellung
aufgabe
kristall
oberflache
scheibenoberflache
infolge
tiber
uber
erforderlich
chips
erfolgt
hohen
schicht
folgt
verbindung
kanal
aufgrund
hohe
dicke
schichten
temperatur
folglich
ionen
aufgaben
scheiben
maske
gleichzeitig
scheibe
bereich
entsprechend
implantation
polysilizium
Ano:
1999
Idioma:
german
Arquivo:
PDF, 7.80 MB
As suas tags:
0
/
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german, 1999
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